Penyediaan dan pencirian saput tipis SnSe berorientasi tunggal

Abstract

Saput tipis timah selenida telah disediakan dengan menggunakan kaedah tindakbalas keadaan pepejal. Lapisan bertingkat Sn/Se/Sn telah disejatkan keatas substrat kaca pada tekanan 10-5 mbar dan ketebalan 150/300/150 nm. Suhu substrat telah ditetapkan antara 200-270 oC untuk membolehkan pembentukan sebatian SnSe yang stoikiometri melalui proses tindakbalas kimia. Analisis sinar-X menunjukkan wujudnya struktur polihablur berdasarkan kepada puncak-puncak belauan yang terdapat pada sampel 210 oC dan 220 oC. Satu puncak tunggal yang sangat tinggi dikesan pada sampel 230-270 oC mencadangkan pembentukan SnSe berorientasi tunggal pada satah (031). Nilai kerintangan yang diukur dan tenaga pengaktifan yang dikira, masing-masing adalah 15-29  cm dan 0.05 eV. Pengukuran kesan Hall memberikan parameter RH = 536.8 cm3C-1, µH = 39.5 cm2V-1S-1 dan konduksi jenis-p dengan kepekatan, p = 1.2 x 1016 cm-3.